期刊名稱：	半導體技術
	期刊級別：	核心期刊
	國內統一刊號：	13-1109/TN
	國際標準刊號：	1003-353X
	期刊周期：	月刊
	主管單位：	信息產業部
	主辦單位：	中國電子科技集團公司第十三研究所
	學術服務咨詢 服務項目咨詢

　　• 期刊信息：《半導體技術》(月刊)1976年創刊，以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，享譽中外，對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術成果展示、轉化和技術交流的平臺，達到了促進我國半導體技術不斷發展的目的"是《半導體技術》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導體技術與應用的發展趨勢;專題報道：每期就設計、生產、應用等企業關注的熱門技術及焦點論題，進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應用：半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用;工藝技術與材料：介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料;集成電路設計與開發：各種IC的設計和應用技術、設計工具及發展動向;封裝、測試與設備：介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術;MEMS技術：現代管理：半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品，等管理技術;綜合新聞：及時發布世界各地半導體最新產品及技術信息。《半導體技術》的稿件來源于全國各主要研究機構、大專院校和企事業單位等。《半導體技術》主管單位：信息產業部，主辦單位：中國電子科技集團公司第十三研究所，國內統一刊號：13-1109/TN，國際標準刊號：1003-353X

　　• 期刊欄目：趨勢與展望、專題報道、應用長廊、設計與開發、支撐技術、新品推薦。

　　• 數據庫收錄情況：國家新聞出版總署收錄　維普網、萬方數據庫、知網數據庫、文摘雜志、化學文摘(網絡版)、日本科學技術振興機構中國文獻數據庫、劍橋科學文摘社ProQeust數據庫、物理學、電技術、計算機及控制信息數據庫收錄
　　
　　• 影響因子：截止2014年萬方：影響因子：0.228;總被引頻次：552

　　截止2014年知網：復合影響因子：0.386;綜合影響因子：0.209

　　•《半導體技術》雜志發表論文：

　　GaN高頻開關電力電子學的新進展………………………………………… 趙正平;

　　降低金屬與n型Ge接觸電阻方法的研究進展…………………………………… 周志文;沈曉霞;李世國;

　　可嵌入RFID標簽的低功耗單柵非易失性存儲器 ……………………………………楊亞楠;楊曉龍;陳力穎;

　　一種快速轉換的過溫保護電路 ……………………………………張專;程新紅;俞躍輝;王坤;

　　2～35 GHz單片微波集成功率檢測電路 ……………………………………趙子潤;楊實;

　　高穩定度低相位噪聲溫補晶振芯片設計 ……………………………………黎榮林;黎敏強;

　　摻鉑和電子輻照對快恢復二極管性能的影響 ……………………………………趙豹;賈云鵬;吳郁;胡冬青;周璇;李哲;譚健;

　　2016年主要欄目設置……………………………………

　　范文：降低金屬與n型Ge接觸電阻方法的研究進展

　　【摘要】：Ge材料中n型雜質激活的電子濃度偏低,以及費米能級釘扎效應導致的金屬與n型Ge接觸電子勢壘高度偏大,使金屬與n型Ge接觸電阻較大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷對雜質濃度以及費米能級釘扎對電子勢壘高度的影響;綜述了提高Ge材料中n型摻雜電子濃度的方法,如激光退火、磷和銻共摻、循環離子注入/退火、氟鈍化等;討論了降低金屬與n型Ge接觸電子勢壘高度的途徑,即插入薄的界面層形成金屬-界面層-Ge接觸。電子濃度的提高,以及電子勢壘高度的降低,有效地減小了金屬與n型Ge接觸電阻。

　　【關鍵詞】： 鍺(Ge) n型摻雜 金屬-界面層-半導體接觸 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 接觸電阻