期刊名稱：	山西電子技術
	期刊級別：	省級期刊
	國內(nèi)統(tǒng)一刊號：	14-1214/TN
	國際標準刊號：	1674-4578
	期刊周期：	雙月刊
	主管單位：	山西省機械電子行業(yè)辦公室
	主辦單位：	山西省電子工業(yè)科學研究所
	學術服務咨詢 服務項目咨詢

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　　《山西電子技術》期刊簡介

　　• 期刊信息：《山西電子技術》是由中華人民共和國新聞出版總署、正式批準公開發(fā)行的優(yōu)秀期刊。自創(chuàng)刊以來，以新觀點、新方法、新材料為主題，堅持"期期精彩、篇篇可讀"的理念。山西電子技術內(nèi)容詳實、觀點新穎、文章可讀性強、信息量大，眾多的欄目設置，山西電子技術公認譽為具有業(yè)內(nèi)影響力的雜志之一。山西電子技術并獲中國優(yōu)秀期刊獎，現(xiàn)中國期刊網(wǎng)數(shù)據(jù)庫全文收錄期刊。

　　《山西電子技術》主管單位：山西省機械電子行業(yè)辦公室主辦單位：山西省電子工業(yè)科學研究所;山西省電子學會出刊周期：雙月刊出版地：山西省太原市主編：王建生語言種類：中文開本尺寸：大16開創(chuàng)刊時間：1973年國際標準刊號：1674-4578國內(nèi)統(tǒng)一刊號：14-1214/TN知網(wǎng)復合影響因子：0.246知網(wǎng)綜合影響因子：0.101萬方影響因子：0.181萬方總被引頻次：268

　　《山西電子技術》創(chuàng)刊于1973年，是一份公開發(fā)行的電子技術類科技期刊。本刊以反映電子信息技術領域的研究成果、技術動態(tài)，促進學術交流，推動科技成果向社會生產(chǎn)力轉化為宗旨，主要刊登電子信息領域具有創(chuàng)新性的研究、技術應用論文及技術研究進展的綜述。主要讀者對象是從事與電子信息技術研究、應用有關的廣大科技工作者和高等院校師生。

　　• 期刊欄目：網(wǎng)絡時空、軟件天地、應用實踐、專家論壇、通訊技術、廣播電視、醫(yī)療電子、設備維修

　　• 數(shù)據(jù)庫收錄情況：國家新聞出版總署收錄、中國知網(wǎng)收錄、維普期刊網(wǎng)收錄、萬方數(shù)據(jù)庫收錄
　
　　• 辦刊宗旨：《山西電子技術》本刊堅持為社會主義服務的方向，堅持以馬克思列寧主義、毛澤東思想和鄧小平理論為指導，貫徹“百花齊放、百家爭鳴”和“古為今用、洋為中用”的方針，堅持實事求是、理論與實際相結合的嚴謹學風，傳播先進的科學文化知識，弘揚民族優(yōu)秀科學文化，促進國際科學文化交流，探索防災科技教育、教學及管理諸方面的規(guī)律，活躍教學與科研的學術風氣，為教學與科研服務。
　　
　　

　　• 2015年《山西電子技術》雜志第1期論文投稿目錄：

　　風光互補發(fā)電系統(tǒng)設計……………………………………焦利利 楊風 羅威

　　采用負反饋結構設計的高性能MOS開關……………………………………程亮

　　可編程彩色光頻轉換器及其應用……………………………………李志剛 張嘉倍 胡會超 董海波

　　基于PLC的全自動對位貼合機的設計……………………………………冀鈺 程耀瑜 方順林 孫歡歡

　　基于SYN6288的超聲波語音測距拐杖的設計……………………………………陳培興 張曉飛 楊娟

　　渦輪發(fā)電機轉速測試系統(tǒng)設計……………………………………任達陸 王利

　　基于EWB的運算放大器仿真教學及應用……………………………………來國紅 鐘建偉 楊慶 劉嵩 朱永丹

　　基于STM32F030和電力載波的電氣實驗設備電源管理設計……………………………………劉志斌 龍劍

　　基于無人值守的鉻鐵密閉電爐爐頂布料控制系統(tǒng)……………………………………張偉平

　　鉑電阻溫度傳感器的測量方法及其應用……………………………………席鵬 於二軍

　　基于超聲波傳感器的車載超重監(jiān)控報警系統(tǒng)……………………………………石浪 楊娟

　　論文范文下載：采用負反饋結構設計的高性能MOS開關

　　近年來,隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,片上系統(tǒng)(SOC)已成為芯片技術發(fā)展的一個主流方向。片上系統(tǒng)中的重要模塊,模/數(shù)轉換器(ADC)在結構設計、制做工藝、性能指標上都有了巨大的進步,正在朝著低壓、低功耗、高速和高精度的方向發(fā)展。而ADC電路中的一個重要組成部分是采樣保持電路,在采樣保持電路結構中使用了大量的MOS開關,MOS開關的線性度、穩(wěn)定性、速度都將直接影響到ADC系統(tǒng)的各項指標。MOS開關的信號采樣過程對信號的信噪比(SNR)和信號噪聲及失真比(SNDR)有至關重要的影響。傳統(tǒng)結構的MOS開關存在導通電阻非線性、限制輸入信號幅度、芯片占用面積大等問題。本設計采用負反饋電路結構,用來穩(wěn)定采樣周期內(nèi)MOS開關的柵源電壓,以保證開關導通電阻和輸入信號無關,同時還采用了電容充放電技術以提高采樣周期內(nèi)MOS開關柵極電壓,實現(xiàn)MOS開關柵壓的自舉。通過對MOS開關結構及性能的一系列改進,很大程度上減小了開關在采樣過程中對信號的影響。